STF12NM50N

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意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面向高、低壓MOSFET的工藝技術(shù)增強(qiáng)了功率處理能力，從而實(shí)現(xiàn)了高效解決方案。 產(chǎn)品的主要特性包括： 擊穿電壓范圍：-500 ~ 1500 V 30多種封裝選項(xiàng)，包括1-mm高表面貼裝PowerFLAT? 8x8 HV 為650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *區(qū)域值（0.029 ?、TO-247封裝） 改善了柵極電荷，降低了功耗，滿足了當(dāng)今’極具挑戰(zhàn)性的效率要求 面向所選產(chǎn)品線的本征快速體二極管 在各個(gè)支持負(fù)載點(diǎn)、電信DC-DC轉(zhuǎn)換器、PFC、開關(guān)模式電源和汽車設(shè)備等應(yīng)用的電壓范圍內(nèi)，意法半導(dǎo)體都有符合您設(shè)計(jì)要求的MOSFET。 意法半導(dǎo)體的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列產(chǎn)品具有極低的柵電荷（Qg）和出色的輸出電容Coss曲線，是諧振型電源（LLC轉(zhuǎn)換器）的理想之選，同時(shí)還支持PFC、TTF或反激式硬開關(guān)拓?fù)洹Ｅc上一代產(chǎn)品（MDmesh II）相比，它大幅降低了柵電荷和開關(guān)損耗。高dv/dt穩(wěn)定性（50 V/ns）讓器件即使出現(xiàn)了大電壓瞬態(tài)（如AC電源線上的噪聲和諧波）也能可靠運(yùn)行。 STF12NM50ND N-channel 500 V, 0.29 Ohm,, 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP 活性 The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters. 下載 數(shù)據(jù)表 Key Features The worldwide best RDS(on)* area amongst the fast recovery diode devices 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Extremely high dv/dt and avalanche capabilities